销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:¥21+:¥4.3499 10+:¥3.41 100+:¥2.59 500+:¥2.2 1000+:¥2.05 3000+:¥2.05 6000+:¥1.88 9000+:¥1.8599 24000+:¥1.791+:¥1.441+:¥2.23 |
 Digi-Key 得捷电子 | SI2319DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 | $0.78000 |
 Digi-Key 得捷电子 | SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:¥2 |
 element14 e络盟电子 | SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:¥21+:¥4.3499 10+:¥3.41 100+:¥2.59 500+:¥2.2 1000+:¥2.05 3000+:¥2.05 6000+:¥1.88 9000+:¥1.8599 24000+:¥1.791+:¥1.44 |
 Mouser 贸泽电子 | SI2319DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V | 1:¥5.763 10:¥4.6669 100:¥3.5369 500:¥2.9154 1,000:¥2.3391 3,000:¥2.1244
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 Mouser 贸泽电子 | SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:¥21+:¥4.3499 10+:¥3.41 100+:¥2.59 500+:¥2.2 1000+:¥2.05 3000+:¥2.05 6000+:¥1.88 9000+:¥1.8599 24000+:¥1.79 |
 立创商城 | SI2319DS-T1-GE3 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:P沟道 | 5+:¥0.53046 50+:¥0.389017 150+:¥0.363037 500+:¥0.337058 2500+:¥0.325512 5000+:¥0.319806
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 立创商城 | SI2319DS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 预售晶体管 | 1+:¥7.93 200+:¥3.07 500+:¥2.96 1000+:¥2.91
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