图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
商标:Vishay / Siliconix
Id-连续漏极电流:3.77 A
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Rds On-漏源导通电阻:33 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :8 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:750 mW
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:40 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:40 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:48 ns
典型接通延迟时间:15 ns