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SI2318DS-T1-GE3 /MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V
SI2318DS-T1-GE3的规格信息
SI2318DS-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:11 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:SI2318DS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2318DS-T1-GE3
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供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI2318DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2318DS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2318DS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798,15338712396
彭先生,许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2318DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2318DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2318DS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI2318DS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SI2318DS-T1-GE3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1025.45 Kbytes共9页SI2318DS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2318DS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Allied Electronics
SI2318DS-T1-GE3Siliconix / Vishay40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V+1:$0.95
+2:$0.94
+5:$0.90
+10:$0.86
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Arrow(艾睿)
SI2318DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V3000+:¥1.29
6000+:¥1.22
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10+:¥2.3301
100+:¥1.73
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25+:¥2.831+:¥1.441+:¥1.3499
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Digi-Key 得捷电子
SI2318DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3$0.55000
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Digi-Key 得捷电子
SI2318DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V3000+:¥1.29
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
SI2318DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V1:¥4.1471
10:¥3.1979
100:¥2.373
500:¥1.9549
3,000:¥1.3786
6,000:查看
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立创商城
SI2318DS-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥5.72
200+:¥2.22
500+:¥2.14
1000+:¥2.1
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立创商城
SI2318DS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W(Tc) 类型:N沟道5+:¥0.549936
50+:¥0.413491
150+:¥0.388429
500+:¥0.363368
2500+:¥0.352229
5000+:¥0.346726