系列：TrenchFET®
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：715pF @ 6V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：750mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package：SOT-23-3
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：12V
连续漏极电流ID：3A
漏源极导通电阻RDS(ON)：100mOhms
无铅情况/RoHs：否