| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI2312BDS-T1-E3 | Siliconix / Vishay | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | +3000:$0.41
+6000:$0.40
+15000:$0.39
+30000:$0.37 |
Allied Electronics | SI2312BDS-T1-E3/BKN | Siliconix / Vishay | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | +1:$0.39
+2:$0.38
+5:$0.37
+25:$0.35 |
Am2 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.05
6000+:￥0.9901
15000+:￥0.93
30000+:￥0.85
75000+:￥0.8201
150000+:￥0.781+:￥3.07
10+:￥2.31
100+:￥1.71
500+:￥1.46
1000+:￥1.28
3000+:￥1.23
6000+:￥1.23
9000+:￥1.13
24000+:￥1.13000+:￥0.6699
9000+:￥0.65011+:￥1.34 |
Arrow(艾睿) | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
10+:￥2.31
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3000+:￥1.23
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24000+:￥1.13000+:￥0.893000+:￥0.6699
9000+:￥0.65011+:￥0.92 |
ChipOneStop | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
10+:￥2.31
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3000+:￥1.23
6000+:￥1.23
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24000+:￥1.13000+:￥0.89 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | $0.52000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.05
6000+:￥0.9901
15000+:￥0.93
30000+:￥0.85
75000+:￥0.8201
150000+:￥0.78 |
Future(富昌) | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
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Future(富昌) | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.05
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Mouser 贸泽电子 | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
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Mouser 贸泽电子 | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 20V 3.9A | 1:¥4.6104
10:¥3.5143
100:¥2.6103
500:¥2.147
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Mouser 贸泽电子 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.05
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Mouser 贸泽电子 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | 1:¥4.6104
10:¥3.5143
100:¥2.6103
500:¥2.147
3,000:¥1.5142
6,000:查看
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Verical | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
10+:￥2.31
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25+:￥2.75
100+:￥2.07
250+:￥1.8599
500+:￥1.37
1000+:￥0.8201 |
立创商城 | SI2312BDS-T1 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | 5+:￥0.405665
50+:￥0.299758
150+:￥0.280305
500+:￥0.260853
2500+:￥0.252207
5000+:￥0.247935
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立创商城 | SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 | 1+:￥1.8965
10+:￥1.4141
30+:￥1.3255
100+:￥1.199793
500+:￥1.161672
1000+:￥1.142757
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立创商城 | SI2312BDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 | 1+:￥1.4598
10+:￥1.1374
30+:￥1.0782
100+:￥1.019
500+:￥0.9926
1000+:￥0.9796
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