| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI2312BDS-T1-E3 | Siliconix / Vishay | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | +3000:$0.41
+6000:$0.40
+15000:$0.39
+30000:$0.37 |
Allied Electronics | SI2312BDS-T1-E3/BKN | Siliconix / Vishay | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | +1:$0.39
+2:$0.38
+5:$0.37
+25:$0.35 |
Allied Electronics | SI2312CDS-T1-GE3 | Siliconix / Vishay | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | +3000:$0.77
+6000:$0.54 |
Am2 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.05
6000+:￥0.9901
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Arrow(艾睿) | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
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Arrow(艾睿) | SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET | 3000+:￥1.07
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Bristol Electronics | SI2312DS-T1 | Vishay Intertechnologies | | 90 : $1.0125
298 : $0.945
795 : $0.891
|
Chip One Exchange | SI2312DS-T1 | Vishay Intertechnologies | | 价格未公开 |
ChipOneStop | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
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Digi-Key 得捷电子 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | $0.52000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET | 3000+:￥1.07
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Digi-Key 得捷电子 | SI2312-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 20V 5A SOT23 | $0.43000 |
Element_sh | SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET | 3000+:￥1.07
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Future(富昌) | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
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6,000:查看
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Mouser 贸泽电子 | SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V | 3000+:￥1.05
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Verical | SI2312BDS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 3.77A | 1+:￥3.07
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立创商城 | SI2312 | PUOLOP(迪浦) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 | 10+:￥0.256675
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|
立创商城 | SI2312 | KEXIN(科信) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.77A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 | 10+:￥0.269862
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立创商城 | SI2312A | UMW(友台半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.77A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 | 10+:￥0.277204
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立创商城 | SI2312BDS-T1 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 | 5+:￥0.405665
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立创商城 | SI2312BDS-T1-E3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 | 1+:￥1.8965
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|
立创商城 | SI2312BDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道 | 1+:￥1.4598
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|
立创商城 | SI2312B-TP | MCC(美微科) | MOS(场效应管) | 1+:￥1.3
10+:￥1
|
立创商城 | SI2312CDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：31.8mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥0.929
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|
立创商城 | SI2312CDS-T1-GE3 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道 | 5+:￥0.444237
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|
立创商城 | SI2312DS | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道 | 5+:￥0.405857
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|