SI2312BDS-T1-E3的供应商，SI2312BDS-T1-E3规格参数，SI2312BDS-T1-E3的PDF资料

SI2312BDS-T1-E3 /MOSFET N-Channel 20V 3.9A

SI2312BDS-T1-E3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:SI2312BDS-E3

单位重量:8 mg

SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI2312BDS-T1-E3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
集好芯城	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价

SI2312BDS-T1-E3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI2312BDS-T1-E3	MOSFET N-Channel 20V 3.9A	Vishay / Siliconix	218.87 Kbytes	共8页	无
SI2312BDS-T1-E3	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	Vishay Siliconix	179.95 Kbytes	共7页	无
SI2312BDS-T1-E3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道	VISHAY(威世)	217.57 Kbytes	共8页	无
SI2312BDS-T1-E3	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET	Siliconix / Vishay	179.95 Kbytes	共7页	无
SI2312BDS-T1-E3/BKN	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET	Siliconix / Vishay	89.89 Kbytes	共5页	无

SI2312BDS-T1-E3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Allied Electronics	SI2312BDS-T1-E3	Siliconix / Vishay	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET	+3000:$0.41 +6000:$0.40 +15000:$0.39 +30000:$0.37
Allied Electronics	SI2312BDS-T1-E3/BKN	Siliconix / Vishay	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET	+1:$0.39 +2:$0.38 +5:$0.37 +25:$0.35
Arrow(艾睿)	SI2312BDS-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 3.77A	1+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.13000+:￥0.893000+:￥0.6699 9000+:￥0.65011+:￥0.92
ChipOneStop	SI2312BDS-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 3.77A	1+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.13000+:￥0.89
Future(富昌)	SI2312BDS-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 3.77A	1+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.13000+:￥0.893000+:￥0.6699 9000+:￥0.6501
Mouser 贸泽电子	SI2312BDS-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 3.77A	1+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.1
Mouser 贸泽电子	SI2312BDS-T1-E3	Vishay / Siliconix	MOSFET N-Channel 20V 3.9A	1:¥4.6104 10:¥3.5143 100:¥2.6103 500:¥2.147 3,000:¥2.147
Verical	SI2312BDS-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 3.77A	1+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.13000+:￥0.893000+:￥0.6699 9000+:￥0.65011+:￥0.9210+:￥3.04 25+:￥2.75 100+:￥2.07 250+:￥1.8599 500+:￥1.37 1000+:￥0.8201
立创商城	SI2312BDS-T1-E3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道	1+:￥1.8965 10+:￥1.4141 30+:￥1.3255 100+:￥1.199793 500+:￥1.161672 1000+:￥1.142757

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