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SI2319DDS-T1-GE3 /MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
SI2319DDS-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:3.6 A

Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:12.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:10 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商SI2319DDS-T1-GE3
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Mouser 贸泽电子		SI2319DDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-231:¥3.9211
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