SI2312A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.77A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道
SI2312A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.77A
栅源极阈值电压850mV @ 250uA
漏源导通电阻33mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)750mW
类型N沟道
SI2312A
SI2312A的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SI2312A | UMW(友台半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.77A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道 | 10+:¥0.277204 100+:¥0.208427 300+:¥0.195794 1000+:¥0.183162 5000+:¥0.177547 10000+:¥0.174773
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