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SI2312CDS-T1-GE3 /MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
SI2312CDS-T1-GE3的规格信息
SI2312CDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:31.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:24 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:31 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2312CDS-T1-GE3
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深圳市微碧半导体有限公司SI2312CDS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2312CDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2312CDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2312CDS-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市芯奕科技有限公司SI2312CDS-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2312CDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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SI2312CDS-T1-GE3N-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1047.9 Kbytes共9页SI2312CDS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2312CDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2312CDS-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET N-CH 20V 6A SOT-23+3000:$0.77
+6000:$0.54
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2312CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET3000+:￥1.07
6000+:￥1
15000+:￥0.94
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2312CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3$0.46000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2312CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET3000+:￥1.07
6000+:￥1
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75000+:￥0.86
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Element_sh		SI2312CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET3000+:￥1.07
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI2312CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET3000+:￥1.07
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Mouser 贸泽电子		SI2312CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET3000+:￥1.07
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100+:￥1.43
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2312CDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-231:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
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立创商城		SI2312CDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：31.8mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道1+:￥0.929
10+:￥0.6894
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100+:￥0.6014
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立创商城		SI2312CDS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道5+:￥0.444237
50+:￥0.325784
150+:￥0.304028
500+:￥0.282271
2500+:￥0.272602
5000+:￥0.267824
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