| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI2319CDS-T1-GE3 | Siliconix / Vishay | SI2319CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.4 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 | +3000:$1.02
+150000:$0.99 |
Arrow(艾睿) | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.41
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Avnet Express | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | - Tape and Reel | 14,285 : $0.0945
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Avnet Express | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 3,000 : $0.1642
14,999 : $0.1576
29,999 : $0.1559
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ChipOneStop | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.41
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Digi-Key 得捷电子 | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3 | $0.60000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.41
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Digi-Key 得捷电子 | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23 | 15,000 : $0.16875
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element14 Asia-Pacific | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P CH -40V -4.4A SOT-23-3 FUL
RoHS : Compliant | 3,000 : $1.5
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Future Electronics | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | P-Channel 40 V 0.077 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
RoHS : Compliant | 3,000 : $0.1411
9,000 : $0.1356
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Future(富昌) | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.41
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Mouser 贸泽电子 | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23 | 1:¥4.6104
10:¥3.4691
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1,000:¥1.6385
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RS Components | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-Ch 40V 3.1A TrenchFET SOT23 | 价格未公开 |
Verical | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | $0.1278
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Verical | SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.41
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立创商城 | SI2319CDS-T1-GE3 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道 | 5+:￥0.390372
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立创商城 | SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：77mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道 | 1+:￥2.0974
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500+:￥1.3785
1000+:￥1.3585
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