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SI2312DS /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 类型:N沟道
SI2312DS的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻28mΩ @ 5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.1W(Tc)

类型N沟道

供应商SI2312DS
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SI2312DSVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 类型:N沟道5+:¥0.405857
50+:¥0.299899
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5000+:¥0.248052