SI2312BDS-T1-GE3的供应商，SI2312BDS-T1-GE3规格参数，SI2312BDS-T1-GE3的PDF资料

SI2312BDS-T1-GE3 /MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V

SI2312BDS-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:3.9 A

Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:7.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:0.75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:SI2312BDS-GE3

单位重量:8 mg

SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-8	13066809747 13066809747	李小姐	询价
深圳市微碧半导体有限公司	SI2312BDS-T1-GE3-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	Si2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
集好芯城	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市百域芯科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
集好芯城	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市芯奕科技有限公司	SI2312BDS-T1-GE3	深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K3	15818509871	王志	询价

SI2312BDS-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SI2312BDS-T1-GE3	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		1047.95 Kbytes	共9页		无

SI2312BDS-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Am2	SI2312BDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V	3000+:￥1.05 6000+:￥0.9901 15000+:￥0.93 30000+:￥0.85 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.781+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.13000+:￥0.6699 9000+:￥0.65011+:￥1.34
Digi-Key 得捷电子	SI2312BDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3	$0.52000
Digi-Key 得捷电子	SI2312BDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V	3000+:￥1.05 6000+:￥0.9901 15000+:￥0.93 30000+:￥0.85 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.78
Future(富昌)	SI2312BDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V	3000+:￥1.05 6000+:￥0.9901 15000+:￥0.93 30000+:￥0.85 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.781+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.13000+:￥0.6699 9000+:￥0.6501
Mouser 贸泽电子	SI2312BDS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V	1:¥4.6104 10:¥3.5143 100:¥2.6103 500:¥2.147 3,000:¥1.5142 6,000:查看
Mouser 贸泽电子	SI2312BDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V	3000+:￥1.05 6000+:￥0.9901 15000+:￥0.93 30000+:￥0.85 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.781+:￥3.07 10+:￥2.31 100+:￥1.71 500+:￥1.46 1000+:￥1.28 3000+:￥1.23 6000+:￥1.23 9000+:￥1.13 24000+:￥1.1
立创商城	SI2312BDS-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道	1+:￥1.4598 10+:￥1.1374 30+:￥1.0782 100+:￥1.019 500+:￥0.9926 1000+:￥0.9796

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