SI2312BDS-T1-E3/BKN的供应商，SI2312BDS-T1-E3/BKN规格参数，SI2312BDS-T1-E3/BKN的PDF资料

SI2312BDS-T1-E3/BKN / Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R

SI2312BDS-T1-E3/BKN的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

包装：3TO-236

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：20 V

最大连续漏极电流：3.9 A

RDS -于：31@4.5V mOhm

最大门源电压：±8 V

典型导通延迟时间：9 ns

典型上升时间：30 ns

典型关闭延迟时间：35 ns

典型下降时间：10 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3/BKN	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
佰思特（深圳）供应链管理有限公司	SI2312BDS-T1-E3/BKN	深圳市宝安区新桥街道上星社区中心路110号天悦大厦601	0755-23570121 18682318008	赵军	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	SI2312BDS-T1-E3/BKN	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SI2312BDS-T1-E3/BKN	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET	Siliconix / Vishay		89.89 Kbytes	共5页		无

SI2312BDS-T1-E3/BKN的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Allied Electronics	SI2312BDS-T1-E3/BKN	Siliconix / Vishay	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET	+1:$0.39 +2:$0.38 +5:$0.37 +25:$0.35

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