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SI2312BDS-T1-E3/BKN / Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin TO-236 T/R
SI2312BDS-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:3TO-236

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:20 V

最大连续漏极电流:3.9 A

RDS -于:31@4.5V mOhm

最大门源电压:±8 V

典型导通延迟时间:9 ns

典型上升时间:30 ns

典型关闭延迟时间:35 ns

典型下降时间:10 ns

工作温度:-55 to 150 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

供应商SI2312BDS-T1-E3/BKN
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