Si2318CDS-T1-GE3的供应商，Si2318CDS-T1-GE3规格参数，Si2318CDS-T1-GE3的PDF资料

Si2318CDS-T1-GE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23

Si2318CDS-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:5.6 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:5.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:17 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:SI2318CDS-GE3

单位重量:8 mg

Si2318CDS-T1-GE3

Si2318CDS-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市微碧半导体有限公司	SI2318CDS-T1-GE3-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	Si2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市宸远科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B4	0755-23481624 19068068798，15338712396	彭先生，许娜	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市百域芯科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	Si2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市兴中芯科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A65	13113670037 13113670037	唐先生	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	Si2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	Si2318CDS-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市水星电子有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B	0755-89585609 13632880560	李	询价
深圳市铭科源电子有限公司	Si2318CDS-T1-GE3	深圳市新华强电子世界Q3B037	0755-82503204 13670017571	郭	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	Si2318CDS-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SI2318CDS-T1-GE3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价

Si2318CDS-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SI2318CDS-T1-GE3	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		1025.47 Kbytes	共9页		无
Si2318CDS-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道	VISHAY(威世)		236.22 Kbytes	共10页		无

Si2318CDS-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Allied Electronics	SI2318CDS-T1-GE3	Siliconix / Vishay	SI2318CDS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 5.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23	+3000:$0.64 +6000:$0.38
Arrow(艾睿)	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET	3000+:￥0.9 6000+:￥0.85 15000+:￥0.79 30000+:￥0.72 75000+:￥0.7 150000+:￥0.66991+:￥2.78 10+:￥1.8599 100+:￥1.1601 500+:￥1.04 1000+:￥0.89 3000+:￥0.8201 6000+:￥0.81 9000+:￥0.81 24000+:￥0.7525+:￥0.87 100+:￥0.86 500+:￥0.8399 2000+:￥0.733000+:￥0.5199 15000+:￥0.50011+:￥0.78
ChipOneStop	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET	3000+:￥0.9 6000+:￥0.85 15000+:￥0.79 30000+:￥0.72 75000+:￥0.7 150000+:￥0.66991+:￥2.78 10+:￥1.8599 100+:￥1.1601 500+:￥1.04 1000+:￥0.89 3000+:￥0.8201 6000+:￥0.81 9000+:￥0.81 24000+:￥0.7525+:￥0.87 100+:￥0.86 500+:￥0.8399 2000+:￥0.73
Digi-Key 得捷电子	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3	$0.48000
Digi-Key 得捷电子	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET	3000+:￥0.9 6000+:￥0.85 15000+:￥0.79 30000+:￥0.72 75000+:￥0.7 150000+:￥0.6699
Future(富昌)	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET	3000+:￥0.9 6000+:￥0.85 15000+:￥0.79 30000+:￥0.72 75000+:￥0.7 150000+:￥0.66991+:￥2.78 10+:￥1.8599 100+:￥1.1601 500+:￥1.04 1000+:￥0.89 3000+:￥0.8201 6000+:￥0.81 9000+:￥0.81 24000+:￥0.7525+:￥0.87 100+:￥0.86 500+:￥0.8399 2000+:￥0.733000+:￥0.5199 15000+:￥0.5001
Mouser 贸泽电子	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET	3000+:￥0.9 6000+:￥0.85 15000+:￥0.79 30000+:￥0.72 75000+:￥0.7 150000+:￥0.66991+:￥2.78 10+:￥1.8599 100+:￥1.1601 500+:￥1.04 1000+:￥0.89 3000+:￥0.8201 6000+:￥0.81 9000+:￥0.81 24000+:￥0.75
Mouser 贸泽电子	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23	1:¥3.7629 10:¥2.5538 100:¥1.7289 500:¥1.3786 1,000:¥1.03734 3,000:¥1.03734
Verical	SI2318CDS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 40V 5.6A N-CH MOSFET	3000+:￥0.9 6000+:￥0.85 15000+:￥0.79 30000+:￥0.72 75000+:￥0.7 150000+:￥0.66991+:￥2.78 10+:￥1.8599 100+:￥1.1601 500+:￥1.04 1000+:￥0.89 3000+:￥0.8201 6000+:￥0.81 9000+:￥0.81 24000+:￥0.7525+:￥0.87 100+:￥0.86 500+:￥0.8399 2000+:￥0.733000+:￥0.5199 15000+:￥0.50011+:￥0.7810+:￥2.56 25+:￥2.3 100+:￥1.6501 250+:￥1.46 500+:￥1.24 1000+:￥0.73
立创商城	Si2318CDS-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道	1+:￥0.9334 10+:￥0.7096 30+:￥0.6685 100+:￥0.6274 500+:￥0.6091 1000+:￥0.6001
立创商城	SI2318CDS-T1-GE3	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：N沟道	5+:￥0.423619 50+:￥0.310664 150+:￥0.289917 500+:￥0.26917 2500+:￥0.259949 5000+:￥0.255393

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