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SI2316BDS-T1-GE3 /MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
SI2316BDS-T1-GE3的规格信息
SI2316BDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.35 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.66 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:6 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:4.5 ns

零件号别名:SI2316BDS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2316BDS-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2316BDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2316BDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995
朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
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18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市星宇佳科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
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深圳诚思涵科技有限公司SI2316BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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SI2316BDS-T1-GE3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO221.68 Kbytes共9页SI2316BDS-T1-GE3的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
SI2316BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V3000+:¥1.55
6000+:¥1.45
15000+:¥1.34
30000+:¥1.28
75000+:¥1.25
150000+:¥1.21+:¥3.42
10+:¥2.7
100+:¥2.05
500+:¥1.74
1000+:¥1.62
3000+:¥1.62
6000+:¥1.4801
9000+:¥1.47
24000+:¥1.423000+:¥1.541+:¥1.77
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SI2316BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.22
14,999 : $0.2057
29,999 : $0.2006
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SI2316BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V3000+:¥1.55
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Digi-Key 得捷电子
SI2316BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-315,000 : $0.18495
6,000 : $0.19865
3,000 : $0.21235
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI2316BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V3000+:¥1.55
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element14 Asia-Pacific
SI2316BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET 30V 4.5A TO-236
RoHS : Compliant
1 : $4.87
10 : $4.1
25 : $3.59
100 : $3.08
250 : $2.67
500 : $2.26
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Future Electronics
SI2316BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi2316BDS Series N-Channel 30 V 50 mOhm 1.66 W Surface Mount Mosfet - TO-236
RoHS : Compliant
3,000 : $0.2078
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Mouser 贸泽电子
SI2316BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V1:¥4.5313
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Mouser 贸泽电子
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Verical
SI2316BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R$0.1675
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Verical
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SI2316BDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道1+:¥3.34
10+:¥3.24