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SI2318DS-T1-E3 /MOSFET 40V 6A
SI2318DS-T1-E3的规格信息
SI2318DS-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:3.9 A

Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:11 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:SI2318DS-T1

单位重量:8 mg

供应商SI2318DS-T1-E3
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供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2318DS-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2318DS-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2318DS-T1-E3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2318DS-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市凌特半导体科技有限公司SI2318DS-T1-E3.广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237		谢先生Email:3003989381@qq.com询价
上海三崧电子有限公司SI2318DS-T1-E3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2318DS-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2318DS-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI2318DS-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市莉诚科技有限公司SI2318DS-T1-E3新安街道新安六路勤业商务中心A座42913823158773
13823158773，18124725558		赵Email:1574277398@qq.com询价
SI2318DS-T1-E3及相关型号的PDF资料
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SI2318DS-T1-E3MOSFET 40V 6AVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO194.18 Kbytes共8页SI2318DS-T1-E3的PDF下载地址无
SI2318DS-T1-E3MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO155.27 Kbytes共7页SI2318DS-T1-E3的PDF下载地址无
SI2318DS-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO192.91 Kbytes共8页SI2318DS-T1-E3的PDF下载地址无
SI2318DS-T1-E3N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO155.27 Kbytes共7页SI2318DS-T1-E3的PDF下载地址无
SI2318DS-T1-E3/BKNN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO71.35 Kbytes共5页SI2318DS-T1-E3/BKN的PDF下载地址无
SI2318DS-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2318DS-T1-E3Siliconix / VishayN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET+3000:$0.26
+6000:$0.25
+9000:$0.24
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2318DS-T1-E3/BKNSiliconix / VishayN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET+1:$0.31
+2:$0.29
+5:$0.28
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Arrow(艾睿)		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
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6000+:￥1.16013000+:￥1.51991+:￥1.5001
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
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Digi-Key 得捷电子		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
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Digi-Key 得捷电子		SI2318DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3$0.55000
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Element_sh		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
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element14 e络盟电子		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
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Future(富昌)		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
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Mouser 贸泽电子		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
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Mouser 贸泽电子		SI2318DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 6A1:¥4.2262
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Verical		SI2318DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 6A3000+:￥1.29
6000+:￥1.22
15000+:￥1.13
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6000+:￥1.31
9000+:￥1.236000+:￥1.223000+:￥1.1799
6000+:￥1.16013000+:￥1.51991+:￥1.50011+:￥1.3499
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立创商城		SI2318DS-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道1+:￥2.55
10+:￥1.92
30+:￥1.8
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1000+:￥1.5617
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