HSBB3054
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W 类型:N沟道
HSBB3054的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)32A
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻5.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)25W
类型N沟道
HSBB3054
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HSBB3054 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 781.52 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSBB3054的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBB3054 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):32A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W 类型:N沟道 | 1+:¥1.3073 10+:¥0.9625 30+:¥0.8991 100+:¥0.8358 500+:¥0.8076 1000+:¥0.7937
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