HSBB0012
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W 类型:N沟道
HSBB0012的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻105mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)21W
类型N沟道
HSBB0012
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
HSBB0012 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 525.37 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSBB0012的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBB0012 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W 类型:N沟道 | 1+:¥0.8337 10+:¥0.6138 30+:¥0.5734 100+:¥0.533 500+:¥0.515 1000+:¥0.5061
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