HSBA060N10
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):86A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.0V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W 类型:N沟道
HSBA060N10的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)86A
栅源极阈值电压3.0V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)89W
类型N沟道
HSBA060N10
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HSBA060N10 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):86A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.0V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 1.66 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
HSBA060N10的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBA060N10 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):86A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.0V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):89W 类型:N沟道 | 1+:¥3.68 10+:¥2.7 30+:¥2.52 100+:¥2.35 500+:¥2.27 1000+:¥2.23
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