HSBB3004
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):46A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:N沟道
HSBB3004的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)46A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)29W
类型N沟道
HSBB3004
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HSBB3004 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):46A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 517.75 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
HSBB3004的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBB3004 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):46A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:N沟道 | 1+:¥0.9973 10+:¥0.7474 30+:¥0.7015 100+:¥0.6556 500+:¥0.6352 1000+:¥0.6252
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