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HSBA3014 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:N沟道
HSBA3014的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)41.7W

类型N沟道

供应商HSBA3014
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HSBA3014连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO395.40 Kbytes共5页HSBA3014的PDF下载地址
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HSBA3014HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:N沟道1+:¥1.08
10+:¥0.7951
30+:¥0.7428
100+:¥0.6904
500+:¥0.6672
1000+:¥0.6557