HSBA3014
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:N沟道
HSBA3014的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)41.7W
类型N沟道
HSBA3014
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HSBA3014 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 395.40 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSBA3014的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBA3014 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:N沟道 | 1+:¥1.08 10+:¥0.7951 30+:¥0.7428 100+:¥0.6904 500+:¥0.6672 1000+:¥0.6557
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