HSBA15810C
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道
HSBA15810C的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）100A
栅源极阈值电压4.0V @ 250uA
漏源导通电阻4.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）208W
类型N沟道
HSBA15810C
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| HSBA15810C | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 831.90 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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立创商城 | HSBA15810C | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.0V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道 | 1+:￥4.71
10+:￥3.46
30+:￥3.23
100+:￥3.01
500+:￥2.9
1000+:￥2.85
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