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HSBA0139 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:P沟道
HSBA0139的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻50mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)83W

类型P沟道

供应商HSBA0139
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HSBA0139连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO819.21 Kbytes共5页HSBA0139的PDF下载地址
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HSBA0139HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:P沟道1+:¥2.83
10+:¥2.08
30+:¥1.94
100+:¥1.81
500+:¥1.74
1000+:¥1.71