HSBB2627
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道
HSBB2627的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)48A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻9mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)29W
类型P沟道
HSBB2627
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HSBB2627 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 535.76 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | HSBB2627 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):29W 类型:P沟道 | 1+:¥1.5957 10+:¥1.1959 30+:¥1.1224 100+:¥1.049 500+:¥1.0164 1000+:¥1.0002
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