HSBA8048
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W 类型:N沟道
HSBA8048的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)48A
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻6.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)56W
类型N沟道
HSBA8048
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HSBA8048 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 636.48 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | HSBA8048 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W 类型:N沟道 | 1+:¥3.4 10+:¥2.48 30+:¥2.31 100+:¥2.14 500+:¥2.06 1000+:¥2.03
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