HSBA6016
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道
HSBA6016的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)52A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)62.5W
类型N沟道
HSBA6016
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HSBA6016 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 494.50 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
HSBA6016的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBA6016 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W 类型:N沟道 | 1+:¥1.92 10+:¥1.4 30+:¥1.31 100+:¥1.21 500+:¥1.17 1000+:¥1.15
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