HSBA100P03
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 类型：P沟道
HSBA100P03的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）100A
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻3.3mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）140W
类型P沟道
HSBA100P03
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| HSBA100P03 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 类型：P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 646.88 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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立创商城 | HSBA100P03 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：3.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 类型：P沟道 | 1+:￥3.77
10+:￥2.77
30+:￥2.59
100+:￥2.41
500+:￥2.32
1000+:￥2.28
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