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HSBA20N15S /连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):72.6W 类型:N沟道
HSBA20N15S的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)150V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)23A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻56mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)72.6W

类型N沟道

供应商HSBA20N15S
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HSBA20N15S连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):72.6W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO757.23 Kbytes共5页HSBA20N15S的PDF下载地址
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HSBA20N15SHUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):72.6W 类型:N沟道1+:¥2.42
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