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HSBA3058 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道
HSBA3058的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A

栅源极阈值电压2.2V @ 250uA

漏源导通电阻8mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)31W

类型N沟道

供应商HSBA3058
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HSBA3058连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO755.60 Kbytes共5页HSBA3058的PDF下载地址
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HSBA3058HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道1+:¥0.9284
10+:¥0.6835
30+:¥0.6385
100+:¥0.5935
500+:¥0.5735
1000+:¥0.5637