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HSBA3058 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道

HSBA3058的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）30A

栅源极阈值电压2.2V @ 250uA

漏源导通电阻8mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）31W

类型N沟道

HSBA3058

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深圳市芯幂科技有限公司	HSBA3058	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	HSBA3058	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	HSBA3058	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSBA3058	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市物量万芯科技有限公司	HSBA3058	深圳市福田区华强北街道赛格广场6507AB	0755-82715430 18194045272	朱先生	询价
上海网智商贸有限公司	HSBA3058	上海市普陀区丹巴路28弄36号旭辉世纪广场6号楼908室	021-32500330，13916909260 13916909260	黄小姐	询价

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HSBA3058	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		755.60 Kbytes	共5页		无

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立创商城	HSBA3058	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道	1+:￥0.9284 10+:￥0.6835 30+:￥0.6385 100+:￥0.5935 500+:￥0.5735 1000+:￥0.5637

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