HSBA3052
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W 类型:N沟道
HSBA3052的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)52A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻6.3mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)24W
类型N沟道
HSBA3052
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HSBA3052 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 503.50 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
HSBA3052的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBA3052 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W 类型:N沟道 | 1+:¥1.0664 10+:¥0.7791 30+:¥0.7263 100+:¥0.6735 500+:¥0.65 1000+:¥0.6384
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