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HSBA3115 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):59A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W 类型:P沟道
HSBA3115的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)59A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻9.8mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)52.1W

类型P沟道

供应商HSBA3115
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HSBA3115连续漏极电流(Id)(25°C 时):59A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO472.90 Kbytes共5页HSBA3115的PDF下载地址
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HSBA3115HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):59A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52.1W 类型:P沟道1+:¥1.6673
10+:¥1.2275
30+:¥1.1467
100+:¥1.0659
500+:¥1.03
1000+:¥1.0122