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HSBA3050 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
HSBA3050的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)75A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3.8mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W

类型N沟道

供应商HSBA3050
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HSBA3050连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO698.81 Kbytes共5页HSBA3050的PDF下载地址
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HSBA3050HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道1+:¥1.402
10+:¥1.0322
30+:¥0.9643
100+:¥0.8963
500+:¥0.8661
1000+:¥0.8512