HSBA3062
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道
HSBA3062的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A
栅源极阈值电压2.4V @ 250uA
漏源导通电阻12.5mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)31W
类型N沟道
HSBA3062
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HSBA3062 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 691.28 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSBA3062的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSBA3062 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道 | 1+:¥0.9095 10+:¥0.6695 30+:¥0.6255 100+:¥0.5814 500+:¥0.5618 1000+:¥0.5522
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