HSBB3016
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.4W 类型:N沟道
HSBB3016的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)43.4W
类型N沟道
HSBB3016
HSBB3016及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
HSBB3016 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.4W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 1.9 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSBB3016的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | HSBB3016 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43.4W 类型:N沟道 | 1+:¥1.4162 10+:¥1.0613 30+:¥0.9962 100+:¥0.931 500+:¥0.902 1000+:¥0.8877
|