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SI2310 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.66W(Tc) 类型:N沟道
SI2310的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻85mΩ @ 1.9A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.66W(Tc)

类型N沟道

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SI2310A连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO600.94 Kbytes共4页SI2310A的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
SI2310B-TPMicro Commercial CoMOSFET N-CH 60V 3A SOT23$0.38000
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Digi-Key 得捷电子
SI2310-TPMicro Commercial CoMOSFET N-CH 60V 3A SOT23$0.45000
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Mouser 贸泽电子
SI2310-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-23 package1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
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SI2310BORN伯恩半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.8A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道10+:¥0.269979
100+:¥0.200007
300+:¥0.187155
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5000+:¥0.168591
10000+:¥0.165769
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SI2310VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.66W(Tc) 类型:N沟道5+:¥0.593469
50+:¥0.438531
150+:¥0.410073
500+:¥0.381615
2500+:¥0.368967
5000+:¥0.362718
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SI2310MDDMOS(场效应管)10+:¥0.228467
100+:¥0.168821
300+:¥0.157865
1000+:¥0.14691
5000+:¥0.142041
10000+:¥0.139635
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SI2310PUOLOP(迪浦)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道10+:¥0.269675
100+:¥0.204701
300+:¥0.192767
1000+:¥0.180833
5000+:¥0.175529
10000+:¥0.172908
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SI2310AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道10+:¥0.359262
100+:¥0.270125
300+:¥0.253753
1000+:¥0.237381
5000+:¥0.230104
10000+:¥0.226509
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SI2310A-TPMCC(美微科)MOS(场效应管)1+:¥1.3
10+:¥1
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立创商城
SI2310B-TPMCC(美微科)MOS(场效应管)5+:¥0.454191
50+:¥0.342236
150+:¥0.321672
500+:¥0.301109
2500+:¥0.29197
5000+:¥0.287454
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立创商城
SI2310-TPMCC(美微科)MOS(场效应管)5+:¥0.512751
50+:¥0.379805
150+:¥0.355386
500+:¥0.330967
2500+:¥0.320114
5000+:¥0.314752