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Si2308BDS-T1-GE3 /MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
Si2308BDS-T1-GE3的规格信息
Si2308BDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:156 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.66 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:5 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:4 ns

零件号别名:SI2308BDS-GE3

单位重量:8 mg

供应商Si2308BDS-T1-GE3
Si2308BDS-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市微碧半导体有限公司SI2308BDS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市威雅利发展有限公司SI2308BDS-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市万政电子有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20618948794636
18948794636
欧阳先生Email:3146805220@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2308BDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2308BDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市宸远科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798,15338712396
彭先生,许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
芯莱德电子(香港)有限公司Si2308BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司Si2308BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2308BDS-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2308BDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
Si2308BDS-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI2308BDS-T1-GE3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO252.38 Kbytes共10页SI2308BDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2308BDS-T1-GE3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1031.67 Kbytes共9页SI2308BDS-T1-GE3的PDF下载地址
Si2308BDS-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:156mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO246.87 Kbytes共10页Si2308BDS-T1-GE3的PDF下载地址
Si2308BDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI2308BDS-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET; N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 192mohm; Id 2.3A; SOT-23; Pd 1.66W+3000:$0.27
+150000:$0.27
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
6000+:¥1.0099
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9000+:¥0.7384+:¥1.1
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
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100+:¥2.491+:¥1.03
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1711
14,999 : $0.1572
29,999 : $0.1543
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI2308BDS-T1-GE3 N-CHANNEL 60-V (D-S)3,000 : $0.1575
12,000 : $0.1401
27,000 : $0.126
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET
RoHS : Compliant
5 : $0.639
100 : $0.29
1,000 : $0.241
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
6000+:¥1.0099
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3000+:¥1.21
6000+:¥1.173000+:¥0.93
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3$0.57000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-315,000 : $0.1296
6,000 : $0.1392
3,000 : $0.1488
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
6000+:¥1.0099
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元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
6000+:¥1.0099
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N CH 60V 2.3A SOT23-3
RoHS : Compliant
1 : $3.19
10 : $2.5
100 : $2.13
250 : $1.63
500 : $1.44
1,000 : $1.13
3,000 : $1.06
12,000 : $1.0
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N CH 60V 2.3A TO236
RoHS : Compliant
1 : $3.19
10 : $2.5
100 : $2.13
250 : $1.63
500 : $1.44
1,000 : $1.26
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
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Future Electronics
SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSI2308BDS Series N-Channel 60 V 0.156 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23
RoHS : Compliant
1 : $0.1256
2,000 : $0.1222
10,000 : $0.1178
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
6000+:¥1.0099
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Mouser 贸泽电子
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI2308BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-231:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
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RS Components
SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 60V 1.9A SOT23价格未公开
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Tti
SI2308BDS-T1-GE3Vishay Intertechnologies3000+:¥1.08
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6000+:¥1.15
12000+:¥1.08
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Verical
SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R$0.1225
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:¥1.08
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100+:¥2.491+:¥1.031+:¥0.76
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
Si2308BDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:156mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道1+:¥1.2458
10+:¥0.9873
30+:¥0.9398
100+:¥0.865531
500+:¥0.845064
1000+:¥0.834976