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SI2308DS-T1 / MOSFET 60V 2.0A 1.25
SI2308DS-T1的规格信息
SI2308DS-T1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:2 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

安装风格:SMD/SMT

封装 00006000 / 箱体:SOT-23-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:8.200 mg

供应商SI2308DS-T1
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI2308DS-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2308DS-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市智连鑫科技有限公司SI2308DS-T1-E3深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588		张小姐Email:350367849@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2308DS-T1航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2308DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI2308DS-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2308DS-T1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SI2308DS-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI2308DS-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI2308DS-T1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2308DS-T1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市辰芯伟业科技有限公司SI2308DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市科思奇电子科技有限公司SI2308DS-T1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI2308DS-T1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI2308DS-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市宸远科技有限公司SI2308DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2308DS-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI2308DS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
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SI2308DS-T1N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO59.18 Kbytes共4页SI2308DS-T1的PDF下载地址SUP60N06-18,SI1026X,SUM70N06-11,SUM110N06-3M4L,SUD25N06-45L,SI4470EY,2N7000,SUM110N06-04L,SUP85N06,SI4900DY
SI2308DS-T1-E3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO192.58 Kbytes共8页SI2308DS-T1-E3的PDF下载地址无
SI2308DS-T1-GE3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1031.56 Kbytes共9页SI2308DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2308DS-T1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SI2308DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Bristol Electronics		SI2308DS-T1Vishay Siliconix价格未公开
元器件资料网-Chip One Exchange的LOGO
Chip One Exchange		SI2308DS-T1-E3Vishay Intertechnologies价格未公开
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Digi-Key 得捷电子		SI2308DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子		SI2308DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3Obsolete
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Future Electronics		SI2308DS-T1-E3Vishay IntertechnologiesSI2308DS Series 60 V 0.15 Ohm 10 nC N-Channel Surface Mount Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant		3,000 : $0.2122
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Mouser 贸泽电子		SI2308DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Tti		SI2308DS-T1-E3Vishay Intertechnologies价格未公开
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立创商城		SI2308DS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.66W(Tc) 类型：N沟道5+:￥0.53046
50+:￥0.389017
150+:￥0.363037
500+:￥0.337058
2500+:￥0.325512
5000+:￥0.319806
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