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Si2309CDS-T1-GE3 /MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
Si2309CDS-T1-GE3的规格信息
Si2309CDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:345 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:4.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:2.8 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:SI2309CDS-GE3

单位重量:8 mg

供应商Si2309CDS-T1-GE3
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深圳市微碧半导体有限公司SI2309CDS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2309CDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2309CDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳和润天下电子科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI2309CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3.深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司Si2309CDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2309CDS-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI2309CDS-T1-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市铭科源电子有限公司SI2309CDS-T1-GE3.深圳市新华强电子世界Q3B0370755-82503204
13670017571
Email:872850802@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2309CDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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SI2309CDS-T1-GE3P-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO107.78 Kbytes共6页SI2309CDS-T1-GE3的PDF下载地址SI1025X_08,SUD10P06-280L,SI1025X,SI4559ADY,SI1029X,SI9948AEY,SI1021R_08,SI7452DP,SI1022R_08,SI7601DN
SI2309CDS-T1-GE3P-Channel 60-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO2620.5 Kbytes共10页SI2309CDS-T1-GE3的PDF下载地址
Si2309CDS-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:345mΩ @ 1.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO107.80 Kbytes共6页Si2309CDS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2309CDS-T1-GE3.场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -1.6A, SOT-23-3VISHAYVISHAY的LOGO206.28 Kbytes共9页SI2309CDS-T1-GE3.的PDF下载地址
Si2309CDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI2309CDS-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET, P-CH, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 285mohm, Id 1.6A, SOT-23, Pd 1.7W+1:$0.36
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元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
SI2309CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V1+:¥4.29
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Arrow(艾睿)
SI2309CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V1+:¥4.29
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Cut TR (SOS)99 : $0.218
499 : $0.1967
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2309CDS-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel14,999 : $0.108
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1794
14,999 : $0.1654
29,999 : $0.1621
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI2309CDS-T1-GE3 P-CHANNEL 60-V (D-S)3,000 : $0.1603
12,000 : $0.1425
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元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
SI2309CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET
RoHS : Compliant
5 : $0.559
100 : $0.311
1,000 : $0.203
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ChipOneStop
SI2309CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V1+:¥4.29
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Digi-Key 得捷电子
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3$0.58000
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Digi-Key 得捷电子
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-310 : $0.464
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI2309CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V1+:¥4.29
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element14 Asia-Pacific
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P CH -60V -1.6A SOT-23-3
RoHS : Compliant
1 : $2.7
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element14 Asia-Pacific
SI2309CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-CH -60V -1.6A SOT23
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Future Electronics
SI2309CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSI2309CDS Series P-Channel 60 V 0.345 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23-3
RoHS : Compliant
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Future(富昌)
SI2309CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V1+:¥4.29
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Mouser 贸泽电子
SI2309CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V1+:¥4.29
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Mouser 贸泽电子
SI2309CDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-231:¥4.3844
10:¥3.3335
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3,000:¥1.4238
6,000:查看
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RS Components
SI2309CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-Channel 60V 1.2A SOT23价格未公开
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI2309CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R$0.1061
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI2309CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V1+:¥4.29
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Si2309CDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:345mΩ @ 1.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道1+:¥1.1923
10+:¥0.9035
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1000+:¥0.7623
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立创商城
SI2309CDS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:P沟道1+:¥0.9647
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