| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI2309CDS-T1-E3 | Siliconix / Vishay | 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | +3000:$0.98
+6000:$0.68 |
Allied Electronics | SI2309CDS-T1-GE3 | Siliconix / Vishay | MOSFET, P-CH, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 285mohm, Id 1.6A, SOT-23, Pd 1.7W | +1:$0.36
+25:$0.35
+100:$0.33
+250:$0.32 |
Am2 | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | 1+:￥4.29
10+:￥3.59
25+:￥3.15
100+:￥2.7
250+:￥2.34
500+:￥1.98
1000+:￥1.531+:￥3.25
10+:￥2.44
100+:￥1.81
500+:￥1.53
1000+:￥1.3499
3000+:￥1.29
6000+:￥1.29
9000+:￥1.19
24000+:￥1.16013000+:￥13000+:￥0.72
9000+:￥0.71+:￥1.83
10+:￥1.75
100+:￥1.63 |
Arrow(艾睿) | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay | 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.3499
6000+:￥1.27
15000+:￥1.1799
30000+:￥1.12
75000+:￥1.09
150000+:￥1.041+:￥3.25
10+:￥2.44
100+:￥1.81
500+:￥1.53
1000+:￥1.3499
3000+:￥1.29
6000+:￥1.29
9000+:￥1.19
24000+:￥1.16011+:￥1.41 |
Arrow(艾睿) | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | 1+:￥4.29
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Arrow(艾睿) | SI2309DS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 价格未公开 |
Avnet Express | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay Semiconductors | P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | 3,000 : $0.225
12,000 : $0.2
27,000 : $0.18
|
Avnet Express | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 3,000 : $0.1206
14,999 : $0.1149
29,999 : $0.1141
|
Avnet Express | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Cut TR (SOS) | 99 : $0.218
499 : $0.1967
|
Avnet Express | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | - Tape and Reel | 14,999 : $0.108
|
Avnet Express | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 3,000 : $0.1794
14,999 : $0.1654
29,999 : $0.1621
|
Avnet Express | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | VISSI2309CDS-T1-GE3 P-CHANNEL 60-V (D-S) | 3,000 : $0.1603
12,000 : $0.1425
27,000 : $0.1282
|
Chip One Exchange | SI2309DS-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | | 价格未公开 |
Chip1Stop | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | MOSFET
RoHS : Compliant | 5 : $0.559
100 : $0.311
1,000 : $0.203
|
ChipOneStop | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | 1+:￥4.29
10+:￥3.59
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1000+:￥1.3499
3000+:￥1.29
6000+:￥1.29
9000+:￥1.19
24000+:￥1.16013000+:￥1 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay | 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.3499
6000+:￥1.27
15000+:￥1.1799
30000+:￥1.12
75000+:￥1.09
150000+:￥1.04 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | 15,000 : $0.162
6,000 : $0.174
3,000 : $0.186
|
Digi-Key 得捷电子 | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | $0.58000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | 1+:￥4.29
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250+:￥2.34
500+:￥1.98
1000+:￥1.53 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | 10 : $0.464
1 : $0.54
|
Digi-Key 得捷电子 | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | $0.58000 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2309DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 | Obsolete |
Digi-Key 得捷电子 | SI2309DS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 价格未公开 |
element14 Asia-Pacific | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P CH -60V -1.6A SOT-23-3
RoHS : Compliant | 1 : $2.7
10 : $2.0
25 : $1.8
100 : $1.5
250 : $1.34
500 : $1.08
1,000 : $0.94
2,500 : $0.89
|
element14 Asia-Pacific | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-CH -60V -1.6A SOT23
RoHS : Compliant | 1 : $1.56
10 : $1.5
100 : $1.39
|
Future Electronics | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | P-Channel 60 V 0.345 Ohm 1.7 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3
RoHS : Compliant | 3,000 : $0.1087
9,000 : $0.1044
|
Future Electronics | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | SI2309CDS Series P-Channel 60 V 0.345 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23-3
RoHS : Compliant | 3,000 : $0.1533
6,000 : $0.1478
|
Future(富昌) | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | 1+:￥4.29
10+:￥3.59
25+:￥3.15
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24000+:￥1.16013000+:￥13000+:￥0.72
9000+:￥0.7 |
Mouser 贸泽电子 | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23 | 1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
|
Mouser 贸泽电子 | SI2309CDS-T1-E3 | Vishay | 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.3499
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6000+:￥1.29
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24000+:￥1.1601 |
Mouser 贸泽电子 | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | 1+:￥4.29
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Mouser 贸泽电子 | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23 | 1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
|
Mouser 贸泽电子 | SI2309DS | Rectron | MOSFET Plastic-Encapsulated MOSFET P-CH-60V | 6,000:¥1.1978
9,000:¥0.89948
12,000:¥0.82942
|
Mouser 贸泽电子 | SI2309DS-T1-E3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 价格未公开 |
RS Components | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-Channel 60V 1.2A SOT23 | 价格未公开 |
Verical | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | $0.1061
|
Verical | SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 1.6A 1.7W 345mohm @ 10V | 1+:￥4.29
10+:￥3.59
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1000+:￥1.3499
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9000+:￥1.19
24000+:￥1.16013000+:￥13000+:￥0.72
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10+:￥1.75
100+:￥1.631+:￥1.411+:￥1.26 |
立创商城 | SI2309 | BORN伯恩半导体 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | 10+:￥0.274682
100+:￥0.20471
300+:￥0.191858
1000+:￥0.179006
5000+:￥0.173294
10000+:￥0.170471
|
立创商城 | SI2309CDS-T1-E3 | VISHAY(威世) | MOS(场效应管) | 1+:￥2.9802
200+:￥1.1533
500+:￥1.1128
1000+:￥1.0928
|
立创商城 | Si2309CDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：345mΩ @ 1.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 | 1+:￥1.1923
10+:￥0.9035
30+:￥0.8505
100+:￥0.7975
500+:￥0.7739
1000+:￥0.7623
|
立创商城 | SI2309CDS-T1-GE3 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W(Tc) 类型：P沟道 | 1+:￥0.9647
10+:￥0.7141
30+:￥0.668
100+:￥0.622
500+:￥0.6015
1000+:￥0.5914
|
立创商城 | SI2309DS | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W(Tc) 类型：P沟道 | 1+:￥0.9477
10+:￥0.7003
30+:￥0.6548
100+:￥0.6094
500+:￥0.5892
1000+:￥0.5792
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