SI2308CDS-T1-GE3
/MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
SI2308CDS-T1-GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:2 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.6 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:Si2308CDS
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:3.2 S
下降时间:16 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:25 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:10 ns
典型接通延迟时间:23 ns
SI2308CDS-T1-GE3
SI2308CDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SI2308CDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23 | 1:¥3.2318 10:¥2.1696 100:¥1.4577 500:¥1.1752 3,000:¥0.80682 6,000:查看
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 立创商城 | SI2308CDS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 预售晶体管 | 1+:¥2.3744 200+:¥0.9189 500+:¥0.8866 1000+:¥0.8706
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