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SI2308BDS /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.66W(Tc) 类型：N沟道
SI2308BDS的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.1A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻85mΩ @ 1.9A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.66W(Tc)

类型N沟道

供应商SI2308BDS
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深圳市微碧半导体有限公司SI2308BDS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2308BDS深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2308BDS-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市智连鑫科技有限公司Si2308BDS深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588		张小姐Email:350367849@qq.com询价
深圳市万政电子有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市宝安西乡兴业路互联网创意园C栋20618948794636
18948794636		欧阳先生Email:3146805220@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2308BDS深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2308BDS-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2308BDS深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SI2308BDS深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2308BDS深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2308BDS-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2308BDS上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI2308BDS-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2308BDS-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI2308BDS-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市坤融电子有限公司SI2308BDS航都大厦10I0755-23990975
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深圳市宸远科技有限公司SI2308BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2308BDS-T1-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2308BDS-T1-BE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
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SI2308BDSN-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO257.15 Kbytes共10页SI2308BDS的PDF下载地址无
SI2308BDSTrenchFET® Power MOSFET 100 % Rg 100 % UIS TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO178.96 Kbytes共2页SI2308BDS的PDF下载地址无
SI2308BDSN-Channel 60-V (D-S) MOSFET TFUNK[Vishay Telefunken]TFUNK[Vishay Telefunken]的LOGO252.38 Kbytes共10页SI2308BDS的PDF下载地址无
Si2308BDSN-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO256.78 Kbytes共10页Si2308BDS的PDF下载地址无
SI2308BDS_13N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO257.15 Kbytes共10页SI2308BDS_13的PDF下载地址无
SI2308BDS_17N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO256.78 Kbytes共10页SI2308BDS_17的PDF下载地址无
SI2308BDS-T1-BE3表面贴装型 N 通道 60 V 1.9A（Ta），2.3A（Tc） 1.09W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO219.97 Kbytes共9页SI2308BDS-T1-BE3的PDF下载地址无
SI2308BDS-T1-E3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO117.37 Kbytes共7页SI2308BDS-T1-E3的PDF下载地址SI7452DP,SI1022R_08,SUD15N06-90L_07,SUP75N06-08,SI1026X_08,SI4946EY,SI1330EDL,SUP85N06,SI1926DL,SI4946BEY
SI2308BDS-T1-E3/BKN60V, N-Channel 220 MOHM 4.5 V Rated MOSFETSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO129.72 Kbytes共7页SI2308BDS-T1-E3/BKN的PDF下载地址无
SI2308BDS-T1-GE3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO252.38 Kbytes共10页SI2308BDS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2308BDS-T1-GE3N-Channel 60-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1031.67 Kbytes共9页SI2308BDS-T1-GE3的PDF下载地址无
Si2308BDS-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：156mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO246.87 Kbytes共10页Si2308BDS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2308BDS的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2308BDS-T1-E3Siliconix / VishaySI2308BDS-T1-E3 N-channel MOSFET Module; 2.3 A; 60 V; 3-Pin TO-236+3000:$0.30
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2308BDS-T1-E3/BKNSiliconix / Vishay60V; N-Channel 220 MOHM 4.5 V Rated MOSFET+1:$0.46
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2308BDS-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET; N-Ch; Vds 60V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 192mohm; Id 2.3A; SOT-23; Pd 1.66W+3000:$0.27
+150000:$0.27
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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Arrow(艾睿)		SI2308BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V1+:￥3.42
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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Avnet Express		SI2308BDS-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.2332
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET N-CH 60V 1.9A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel3,000 : $0.17
14,999 : $0.1632
29,999 : $0.1615
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1711
14,999 : $0.1572
29,999 : $0.1543
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2308BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI2308BDS-T1-GE3 N-CHANNEL 60-V (D-S)3,000 : $0.1575
12,000 : $0.1401
27,000 : $0.126
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SI2308BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesUnidentified5 : $0.639
100 : $0.29
1,000 : $0.241
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET
RoHS : Compliant		5 : $0.639
100 : $0.29
1,000 : $0.241
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2308BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V1+:￥3.42
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2308BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V1+:￥3.42
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Digi-Key 得捷电子		SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3$0.57000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-315,000 : $0.1296
6,000 : $0.1392
3,000 : $0.1488
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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Element_sh		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N CH 60V 0.13OHM 2.3A SOT-23
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N CH 60V 2.3A SOT23-3
RoHS : Compliant		1 : $3.19
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N CH 60V 2.3A TO236
RoHS : Compliant		1 : $3.19
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element14 e络盟电子		SI2308BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V1+:￥3.42
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15000+:￥1.34
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
6000+:￥1.0099
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3000+:￥1.21
6000+:￥1.17
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI2308BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 60 V 156 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
RoHS : Compliant		3,000 : $0.1222
9,000 : $0.1178
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSI2308BDS Series N-Channel 60 V 0.156 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23
RoHS : Compliant		1 : $0.1256
2,000 : $0.1222
10,000 : $0.1178
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI2308BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V1+:￥3.42
10+:￥2.88
25+:￥2.5199
100+:￥2.15
250+:￥1.87
500+:￥1.58
1000+:￥1.221+:￥3.07
10+:￥2.31
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1000+:￥1.28
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250+:￥2.39
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1000+:￥1.66
3000+:￥1.51
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15000+:￥1.345+:￥4.64
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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Mouser 贸泽电子		SI2308BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V1+:￥3.42
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Mouser 贸泽电子		SI2308BDS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-231:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,000:¥1.4238
6,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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Mouser 贸泽电子		SI2308BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-231:¥4.3844
10:¥3.3335
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RS Components		SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 60V 1.9A SOT23价格未公开
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Tti		SI2308BDS-T1-GE3Vishay Intertechnologies3000+:￥1.08
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12000+:￥1.08
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI2308BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R$0.2074
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Verical		SI2308BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V1+:￥3.42
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Verical		SI2308BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V3000+:￥1.08
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75000+:￥0.87
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Verical		SI2308BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R$0.1225
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立创商城		SI2308BDSVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.66W(Tc) 类型：N沟道5+:￥0.532875
50+:￥0.397429
150+:￥0.372552
500+:￥0.347674
2500+:￥0.336617
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立创商城		SI2308BDS-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：156mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.66W(Tc) 类型：N沟道1+:￥1.658
10+:￥1.2494
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立创商城		Si2308BDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：156mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道1+:￥1.2458
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