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HSBB3060 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W 类型：N沟道

HSBB3060的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）45A

栅源极阈值电压2.2V @ 250uA

漏源导通电阻9.8mΩ @ 12A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）21W

类型N沟道

HSBB3060

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	HSBB3060	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	HSBB3060	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	HSBB3060	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSBB3060	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	HSBB3060	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市薪火未来科技有限公司	HSBB3060	南山海岸大厦东座4楼403	13823793399	陈先生	询价

HSBB3060及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
HSBB3060	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		782.67 Kbytes	共5页		无

HSBB3060的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	HSBB3060	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W 类型：N沟道	5+:￥0.7579 50+:￥0.558 150+:￥0.5212 500+:￥0.4845 2500+:￥0.4682 5000+:￥0.4601

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