TDM3736
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):112A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道
TDM3736的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)112A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)104W(Tc)
类型N沟道
TDM3736
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TDM3736 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):112A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道 | Techcode(泰德) |  | 466.36 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
TDM3736的全球分销商及价格
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 立创商城 | TDM3736 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):112A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥6.23 10+:¥4.58 30+:¥4.28 100+:¥3.98 500+:¥3.84 1000+:¥3.78
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