TDM3412
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:双N沟道(半桥)
TDM3412的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10.8mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)20W(Tc)
类型双N沟道(半桥)
TDM3412
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TDM3412 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:双N沟道(半桥) | Techcode(泰德) |  | 865.67 Kbytes | 共13页 |  | 无 |
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 立创商城 | TDM3412 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):20W(Tc) 类型:双N沟道(半桥) | 1+:¥1.6471 10+:¥1.1896 30+:¥1.1056 100+:¥1.0215 500+:¥0.9842 1000+:¥0.9657
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