TDM3512
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 13.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道
TDM3512的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻3.4mΩ @ 13.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)
类型N沟道
TDM3512
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TDM3512 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 13.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | Techcode(泰德) |  | 373.55 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
TDM3512的全球分销商及价格
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 立创商城 | TDM3512 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 13.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.8368 10+:¥1.3969 30+:¥1.3162 100+:¥1.2354 500+:¥1.1995 1000+:¥1.1817
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