TDM3426B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道
TDM3426B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.5W
类型N沟道
TDM3426B
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TDM3426B | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 | Techcode(泰德) |  | 353.41 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
TDM3426B的全球分销商及价格
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 立创商城 | TDM3426B | Techcode(泰德) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 | 1+:¥1.0436 10+:¥0.7937 30+:¥0.7478 100+:¥0.7019 500+:¥0.6815 1000+:¥0.6715
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