TDM3421
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：32A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29.8W(Tc) 类型：P沟道
TDM3421的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）32A(Tc)
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻19mΩ @ 10.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）29.8W(Tc)
类型P沟道
TDM3421
TDM3421及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| TDM3421 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：32A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29.8W(Tc) 类型：P沟道 | Techcode(泰德) |  | 567.73 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
TDM3421的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | TDM3421 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：32A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29.8W(Tc) 类型：P沟道 | 1+:￥1.2445
10+:￥0.9346
30+:￥0.8777
100+:￥0.8208
500+:￥0.7955
1000+:￥0.783
|