TDM3508
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
TDM3508的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）68A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻7.5mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）50W(Tc)
类型N沟道
TDM3508
TDM3508及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| TDM3508 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 | Techcode(泰德) |  | 218.75 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
TDM3508的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | TDM3508 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.3541
10+:￥0.9993
30+:￥0.9341
100+:￥0.8689
500+:￥0.84
1000+:￥0.8256
|