TDM3407
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道
TDM3407的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)16.5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)4.2W
类型P沟道
TDM3407
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TDM3407 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道 | Techcode(泰德) |  | 633.98 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
TDM3407的全球分销商及价格
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 立创商城 | TDM3407 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道 | 1+:¥2.85 10+:¥2.14 30+:¥2.01 100+:¥1.88 500+:¥1.83 1000+:¥1.8
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